特点: 小型扁平封装的高容量2APhoto MOS 封装: Power-DIP4 端子形状: Through Hole 包装方式: Tube packing 连续负载电流: 2A 负载电压: 60 V 导通电阻(平均): 0.11 ohm 输出端子间容量(平均): 1400 pF 国外标准: UL, C-UL 触点......特点: 小型扁平封装的高容量2APhoto MOS 封装: Power-DIP4 端子形状: Through Hole 包装方式: Tube packing 连续负载电流: 2A 负载电压: 60 V 导通电阻(平均): 0.11 ohm 输出端子间容量(平均): 1400 pF 国外标准: UL, C-UL 触点结构: 1a 耐电压: 2500V AC 导通电阻(最大): 0.18 ohm 开路状态漏电流(最大): 10μA 最大允许LED电流: 50mA LED 反向电压: 5V 最大正向电流: 1A 部允许损耗: 75mW 动作LED电流(平均): 1mA 动作LED电流(最大): 3mA 复位LED电流(最小): 0.4mA 复位LED电流(平均): 0.9mA